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求人番号.105917 【茨城】化合物半導体GaNウエハ加工技術開発担当者(リーダー)
- 【茨城】化合物半導体GaNウエハ加工技術開発担当者(リーダー)
- 勤務地 茨城県牛久市
- 年収 820~1310万円
求人番号. 105917
【茨城】化合物半導体GaNウエハ加工技術開発担当者(リーダー)
- 【茨城】化合物半導体GaNウエハ加工技術開発担当者(リーダー)
- 勤務地 茨城県牛久市
- 年収 820~1310万円
会社概要
-
職種
研究開発 -
ポジション
【茨城】化合物半導体GaNウエハ加工技術開発担当者(リーダー) -
仕事内容
化合物半導体GANのウエハ加工技術の開発業務を担当いただきます。
ご経験やご希望などを踏まえて以下に例示する担当業務をご提案いたします。
◇要素プロセスの開発・条件最適化
:研磨・スライシング・CMP(化学的機械的研磨)工程などにおけるGaN特有の最適条件を確立します。
◇新規規プロセスフローの構築
:デバイス設計部門と連携し、要求される特性や信頼性を満たすための新しい加工プロセスを設計します。
◇歩留まり向上・不良解析
:試作段階や量産立ち上げ時における欠陥や特性ばらつきの発生メカニズムを解明し、プロセス改善による歩留まり向上を図ります。
◇量産化技術の確立(スケールアップ)
:大口径ウエハ(例:6インチから8インチへの移行)に伴い量産ラインへの安定的な移管に向けた技術開発を行います。
◇新規装置の導入・評価
:装置メーカーと協業し、次世代デバイス製造に向けた最新の加工装置のスペック策定、デモ評価、導入決定および立ち上げを行います。 -
求める経験
【必須条件】
・経験職種(年数)・経験内容:半導体を対象とした加工技術の検討経験あるいは半導体基板加工装置メーカーでの開発経験
【歓迎要件】
・経験業界(年数):3年以上
・経験職種(年数)・経験内容:半導体基板のスライス、ラップ、研削、研磨、レーザー加工等の技術開発経験
・経験補足:半導体基板加工装置メーカー経験者、SiC基板加工経験者歓迎
・語学力:英語 -
英語スキル
TOEIC:600以上 -
求める学歴
大学 -
想定年収
820~1310万円 -
勤務地
茨城県牛久市
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