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求人番号.106708 【筑波 GaN基盤製造のフォトリソグラフィ工程における生産技術】...

  • 【筑波 GaN基盤製造のフォトリソグラフィ工程における生産技術】ご経験者を募集しています。
  • 勤務地 茨城県牛久市
  • 年収 750~1290万円

求人番号. 106708

【筑波 GaN基盤製造のフォトリソグラフィ工程における生産技術】ご経験者を募集しています。

  • 【筑波 GaN基盤製造のフォトリソグラフィ工程における生産技術】ご経験者を募集しています。
  • 勤務地 茨城県牛久市
  • 年収 750~1290万円

会社概要

国内最大手の石油化学メーカー
  • 職種

    製造技術
  • ポジション

    【筑波 GaN基盤製造のフォトリソグラフィ工程における生産技術】ご経験者を募集しています。
  • 仕事内容

    本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程(種結晶=シードの作製)におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。具体的には以下の通りです。

    <担当業務項目>
    プロセス開発・条件最適化 :GaN(窒化ガリウム)基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出すダイナミックな業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。
    ・評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
     自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
     専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。
    ・化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
     MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。
  • 求める経験

    【必須条件】
    ・理工系(物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学 等)を専攻された方
    ・半導体・電子部品・化学・材料いずれかの業界における製造ないしは開発・生産技術の実務経験(目安3年以上)をお持ちの方
    ・下記のいずれかの実務経験(GaNに関する経験は特に歓迎。最先端の知見は不問で、基礎的なプロセス技術があれば可)
     - 半導体材料(GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等)のフォトリソグラフィプロセスの経験
     - 金属膜、酸化膜等の成膜技術(プラズマCVDやスパッタ等)
    ・下記の能力を保有している方
     - 半導体材料のフォトリソグラフィ技術・成膜技術の専門知識を有する
     - 製造現場(オペレーター)を巻き込み、指示書をもとに工程を動かしていけるコミュニケーション力
     - 安全を最優先に業務を遂行する意識

    【歓迎要件】
    ・物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学を専攻された方
    ・化合物半導体(GaN、SiC等)のデバイス・基板の開発/量産に携わった経験をお持ちの方
    ・経験職種
    - 化合物半導体の結晶成長技術(MOCVD等)の経験
    - 化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーションの経験
    - 将来的にチームを牽引するリーダー/マネジメントを志向される方(技術者でありながらマネジメントにも意欲のある方)
    ・語学力:英語
  • 英語スキル

    TOEIC:500以上
  • 求める学歴

    短大・高専・専門
  • 想定年収

    750~1290万円
  • 勤務地

    茨城県牛久市

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